说到三极管，要先说下二极管，说起二极管，就要提到p/n结，什么是p/n结，在说p/n结之前，我们先说下半导体，提到半导体，我们说下元素周期表
我们先一起来回顾下元素周期表：（重点看下画红色框的几个元素）
我们先看下硅元素的原子核外层电子是4个，加入一些+5价的电子，其中4个可以与硅元素外层结合，会多出一个，就是n型半导体。会多出一个载流子。
加入一些+3价的电子，其中3个可以与硅元素外层结合，硅元素就会多出一个电子找不到结合对象，称为这种单身状态为空穴。就是通常说的p型半导体。
二极管就是一段为p型半导体，一段为n型半导体，就形成了我们所说的p/n结
PN结加正向电压时导通，反向电压时截止：
如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。
说完二极管我们再看下三极管：
三极管有两种pnp和npn，简单的区分就是箭头往外指就是npn，常用的有9013、9015、8050、2N5551
箭头往里指就是pnp，常用的有9012、9014、8550等等
最后重点总结下三极管和mos管的重点区别：
1.三极管是电流驱动放大元器件,而mos管是电压驱动元器件
2.三极管三个级分别是.E（发射极）,B（基极）,C（集电极），mos管的三个级分别是栅极G.源极S、漏极D
结尾：放置一张对比图来看下两个的区别：
我们先一起来回顾下元素周期表：（重点看下画红色框的几个元素）
我们先看下硅元素的原子核外层电子是4个，加入一些+5价的电子，其中4个可以与硅元素外层结合，会多出一个，就是n型半导体。会多出一个载流子。
加入一些+3价的电子，其中3个可以与硅元素外层结合，硅元素就会多出一个电子找不到结合对象，称为这种单身状态为空穴。就是通常说的p型半导体。
二极管就是一段为p型半导体，一段为n型半导体，就形成了我们所说的p/n结
PN结加正向电压时导通，反向电压时截止：
如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。
说完二极管我们再看下三极管：
三极管有两种pnp和npn，简单的区分就是箭头往外指就是npn，常用的有9013、9015、8050、2N5551
箭头往里指就是pnp，常用的有9012、9014、8550等等
最后重点总结下三极管和mos管的重点区别：
1.三极管是电流驱动放大元器件,而mos管是电压驱动元器件
2.三极管三个级分别是.E（发射极）,B（基极）,C（集电极），mos管的三个级分别是栅极G.源极S、漏极D
结尾：放置一张对比图来看下两个的区别：
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